一 聚合物ESD抑制器(PGB)：这是**的技术，设计用于产生**小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路，而不会引起任何信号衰减。
二 多层压敏电阻(MLV)：这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。
三 硅保护阵列(SPA)：这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压，这允许它们保护**敏感的电路。 目前几乎所有的芯片组都有片上ESD保护。
本编将推送一款贴片压敏电阻TG0603E050M05：
TG0603E050M05贴片压敏电阻的参数：
封装：0603
电压：7.6~12V
钳位电压：25V
容值：5pF，
TG0603E050M05贴片压敏电阻的特性：
1、无铅型
2、陶瓷芯片SMD型氧化锌
3、绝缘外套保持良好的稳定的低漏电流
4、电镀终止提供良好的可焊性特点
5、工作电压范围宽，VDC：5.5V 42V
6、响应时间快（＜1 ns）
7、低钳位电压
8、符合IEC61000-4-2标准
9、低电容可以满足高速单次瞬态电压保护
可以匹配市面的贴片压敏电阻型号：SESD0603E050M05;SC0603E050M05;SFI0603-050E050PP-LF;0603ESDA-05;MVR0603-5R5E5R0;
RL0603E005M500K;MLV0603ES005V0005P;SMV0603E5R5N3R0T
TG0402E050M05;TG0402E100M05;TG0402E220M05;TG0402E330M05;TG0402E560M05;
TG0402E050M12;TG0402E100M12;TG0402E220M12;TG0402E330M12;TG0402E050M24;
TG0603E050M05;TG0603E100M05;TG0603E220M05;TG0603E330M05;TG0603E560M05;
TG0603E050M12;TG0603E100M12;TG0603E220M12;TG0603E330M12;TG0603E050M24;
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